在基础版本中,当信号源输入电压为 $u_s$ 时,经过电流源 $I_B$ 驱动晶体管基极,发射极通过电阻 $R_E$ 接地,集电极则连接至负电源 $V_{CC}$。该电路利用射极对地的负反馈作用,能有效抑制增益随温度和环境变化的漂移现象。
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关键器件选型与热管理策略 功率开关管(Power Transistor)是功放电路的心脏,其选型直接关系到系统的可靠性。现代设计必须严格考虑结温限制,通常要求最大允许结温不低于 150°C。
在基础版本中,当信号源输入电压为 $u_s$ 时,经过电流源 $I_B$ 驱动晶体管基极,发射极通过电阻 $R_E$ 接地,集电极则连接至负电源 $V_{CC}$。该电路利用射极对地的负反馈作用,能有效抑制增益随温度和环境变化的漂移现象。
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关键器件选型与热管理策略 功率开关管(Power Transistor)是功放电路的心脏,其选型直接关系到系统的可靠性。现代设计必须严格考虑结温限制,通常要求最大允许结温不低于 150°C。